形成接触洞的方法与具有接触插塞的半导体结构

摘要

明提供一种形成接触洞的方法，包含提供一基底，一含氮介电层、一第一材料层、一第二材料层、一含氧介电层和一图案化光阻层由下至上排列覆盖基底，接着以该第二材料层作为一第一蚀刻停止层，蚀刻该含氧介电层以形成一图案化含氧介电层，之后以第一材料层作为一第二蚀刻停止层，蚀刻第二材料层以形成一图案化第二材料层，然后以含氮介电层作为一第三蚀刻停止层，蚀刻第一材料层以形成一图案化第一材料层，最后蚀刻含氮介电层直至曝露基底。

主权项

一种形成接触洞的方法，包含：提供一基底，一含氮介电层、一第一材料层、一第二材料层、一含氧介电层和一图案化光阻层由下至上排列覆盖该基底，该图案化光阻层包含一接触洞图案；利用该图案化光阻层为遮罩依以下多个步骤形成该接触洞，该等步骤包含：以该第二材料层作为一第一蚀刻停止层，蚀刻该含氧介电层以形成一图案化含氧介电层；以该第一材料层作为一第二蚀刻停止层，蚀刻该第二材料层以形成一图案化第二材料层；以该含氮介电层作为一第三蚀刻停止层，蚀刻该第一材料层以形成一图案化第一材料层；以及蚀刻该含氮介电层直至曝露该基底。