被处理体之处理方法

摘要

明提供一种被处理体之处理方法。依本发明之一实施形态的方法，对被处理体进行处理，以形成自氧化区域起通过二个隆起区域之间而到达至基底层为止的开口。该被处理体之处理方法，包含（1）于氧化区域，形成在二个隆起区域之间使氮化区域的第2部分露出之开口的步骤；以及（2）蚀刻开口内的氧化矽制之残渣及第2部分的步骤。蚀刻残渣及第2部分的步骤中，将被处理体暴露于具有含氢气体及NF3
气体的混合气体之电浆而使残渣及第2部分变质藉以形成变质区域，并将该变质区域去除。

主权项

一种被处理体之处理方法，用来处理具有基底层、于该基底层上彼此分开设置之二个隆起区域、包括有覆盖该二个隆起区域之第1部分与覆盖该基底层之第2部分的氮化矽制之氮化区域、及覆盖该氮化区域的氧化矽制之氧化区域的被处理体，以形成通过该二个隆起区域之间而到达至该基底层为止的开口，其包含如下步骤： 第1步骤，于该氧化区域，形成在该二个隆起区域之间使该第2部分露出的开口；以及 第2步骤，蚀刻该开口内的氧化矽制之残渣及该第2部分，其系将该被处理体暴露于具有含氢气体及NF3
气体的混合气体之电浆而使该残渣及该第2部分变质藉以形成变质区域，并将该变质区域去除。