在沟槽式功率器件中改善终端区低击穿电压的方法

摘要

明涉及一种用于功率转换的MOSFET半导体器件，旨在提供具有较好非箝制电感性切换(UIS)之切换能力的沟槽式功率半导体器件，改善沟槽式功率半导体器件在终端区的低突崩击穿能力并提供制备该器件的方法。分步蚀刻端接沟槽和有源沟槽，制备具有预期深度值的端接沟槽后、遮罩端接沟槽，再次实施蚀刻的步骤直至加深有源沟槽到预期的深度。

主权项

一种沟槽式功率半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，包含一底部衬底及一位于该底部衬底上方的外延层；蚀刻该外延层，形成一有源区的一具第一深度的有源沟槽，和形成一终端区的一具预期深度的端接沟槽，该第一深度比该端接沟槽的预期深度值小；利用一遮罩覆盖在该端接沟槽上但暴露出该有源沟槽；及继续实施蚀刻的步骤以增加该有源沟槽的深度，获得预期的一具第二深度的有源沟槽；其中该第二深度与该端接沟槽的预期深度之间的差值，比该第一深度与该端接沟槽的预期深度之间的差值要小。