| 发明名称 |
包括堆叠电子装置的电子总成 |
| 摘要 |
子总成包括一第一电子装置。该第一电子装置包括一延伸至该第一电子装置之背侧的空穴。该电子总成更包括一第二电子装置。该第二电子装置被安装至该第一电子装置位在该第一电子装置中的空穴之内。在该电子总成的一些范例态样中，该第一电子装置与该第二电子装置各是为一晶粒。应要注意的是该电子总成的其他态样是被考量，其中，该第一电子装置与该第二电子装置中之仅一者是为一晶粒。在该电子总成的一些态样中，该第二电子装置被焊接至该第一电子装置。
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| 申请公布号 |
TW201613038 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW104117626 |
申请日期 |
2015.06.01 |
| 申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
戴斯潘迪 尼亭;马哈吉 拉维Ｖ |
| 分类号 |
H01L23/12(2006.01);H01L21/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
一种电子总成，其包含：一第一电子装置，其包括延伸至该第一电子装置之一背侧的一空穴；以及一第二电子装置，其安装至该第一电子装置位于在该第一电子装置中的该空穴之内。
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| 地址 |
美国 |
