发明名称 用于电子元件之经氧取代的苯并环丁烯衍生组成物
摘要 明提供用于OLEDs应用之含BCB-官能化的材料之组成物。本发明组成物可以用来形成供用于电场发光装置元件之电洞传输材料。特别地,本发明提供包含一聚合物或是由聚合物所形成之组成物、电荷迁移薄膜层及发光装置元件,其包含衍生自结构A的一个或更多个聚合单元,如本文所述。
申请公布号 TW201612228 申请公布日期 2016.04.01
申请号 TW104127139 申请日期 2015.08.20
申请人 陶氏全球科技有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司 发明人 斯宾塞 连恩P;麦克杜格尔 诺兰T;崔夫纳斯三世 彼得;戴佛瑞 大卫D
分类号 C08L25/02(2006.01);C08L65/00(2006.01);C08J3/24(2006.01);H01L51/54(2006.01) 主分类号 C08L25/02(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群
主权项 一种发光元件,其包含一聚合电荷迁移层,其中该聚合电荷迁移层系由包含一聚合物之组成物所形成,该聚合物包含衍生自结构A的一个或更多个聚合单元: 其中关于结构A(Structure A),A系选自于芳香族部分(aromatic moiety)或是杂芳香族部分;以及R1至R3系各自独立地选自于下列:氢、氘、烃基、经取代的烃基、杂烃基、经取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、经取代的芳基、杂芳基、经取代的杂芳基;以及其中n系从1至10;以及各个R4系独立地选自于下列:氢、氘、烃基、经取代的烃基、杂烃基、经取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、经取代的芳基、杂芳基、经取代的杂芳基;且其中各个R4基团系独立地与A键结;以及其中O为氧;以及其中Q系选自于下列:氢、氘、烃基、经取代的烃基、杂烃基、经取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、经取代的芳基、杂芳基、经取代的杂芳基;以及其中R1至R4中的二者或更多者可以选择性地形成 一个或更多个环结构。
地址 美国;美国