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发明名称
用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备
摘要
一种用于经修改单元构造以及所产生元件之方法。实施例可包括决定用于积体电路(IC)设计中复数个第一路径的第一垂直轨道间距,每一个第一路径具有第一宽度,决定IC设计中第二路径的第二垂直轨道间距,第二路径具有第二宽度,以及基于第一及第二垂直轨道间距,指定IC设计中单元垂直尺寸。
申请公布号
TWI528202
申请公布日期
2016.04.01
申请号
TW103126540
申请日期
2014.08.04
申请人
格罗方德半导体公司
发明人
袁磊;拉汉德 马布;桂 宗郁
分类号
G06F17/50(2006.01)
主分类号
G06F17/50(2006.01)
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
一种修改单元构造之方法,系包括:决定用于积体电路(IC)设计中复数个第一路径的第一垂直轨道间距,该复数个第一路径的每一个具有第一宽度;决定该积体电路设计中第二路径的第二垂直轨道间距,该第二路径具有第二宽度;基于该第一及第二垂直轨道间距,指定该积体电路设计中的单元垂直尺寸;以及起始水平延伸于该单元中该复数个第一路径之摆置,且各以该第一垂直轨道间距放置在该单元的复数个相等间隔的垂直轨道位置之其中一者上。
地址
美国
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