发光二极体及其制造方法

摘要

发光二极体，包括基板和成长在基板上的半导体结构，所述基板包括基体，所述的基体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基体的第一表面上形成有底端完全遮盖基体第一表面的微结构，所述微结构为连续弯折的金属片体、多个相连接的阻挡结构，每一阻挡结构的顶端具有平板状的顶壁。本发明还提供一种上述发光二极体的制造方法。

主权项

一种发光二极体，包括基板和成长在基板上的半导体结构，所述基板包括基体，所述的基体包括相对设置的第一表面和第二表面，其改良在于：所述基体的第一表面上形成有底端完全遮盖基体第一表面的微结构，所述微结构为连续弯折的金属片体、多个相连接的阻挡结构，每一阻挡结构的顶端具有平板状的顶壁。