| 主权项 |
一种半导体装置，其包括：第1半导体晶片，其包括：第1晶片本体，其具有第1表面与第2表面；第1电极，其设置于上述第1晶片本体之上述第1表面；第1无机保护膜，其使上述第1电极露出，且覆盖上述第1晶片本体之上述第1表面；及第1凸块电极，其设置于上述第1电极上；第2半导体晶片，其包括：第2晶片本体，其具有第1表面与第2表面；第2电极，其设置于上述第2晶片本体之上述第1表面；第2无机保护膜，其使上述第2电极露出，且覆盖上述第2晶片本体之上述第1表面；有机保护膜，其使上述第2电极露出，且覆盖上述第2无机保护膜；再配线层，其设置于上述有机保护膜上，且与上述第2电极电性连接；第2凸块电极，其与上述再配线层电性连接；第1贯通电极，其以贯通上述第2晶片本体之方式设置，且与上述第2电极电性连接；及第3凸块电极，其设置于上述第2晶片本体之上述第2表面侧，且与上述第1贯通电极电性连接；且该第2半导体晶片使上述第3凸块电极连接于上述第1凸块电极，且该第2半导体晶片积层于上述第1半导体晶片上；第3半导体晶片，其包括：第3晶片本体，其具有第1表面与第2表面；第3电极，其设置于上述第3晶片本体之上述第1表面；第3无机保护膜，其使上述第3电极露出，且覆盖上述第3晶片本体之上述第1表面；及第4凸块电极，其设置于上述第3电极上；且该第3半导体晶片使上述第4凸块电极连接于上述第2凸块电极，且该第3半导体晶片积层于上述第2半导体晶片上；第1树脂层，其设置于上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片之间，且与上述第1无机保护膜相接；及
第2树脂层，其设置于上述第2半导体晶片与上述第3半导体晶片之间，且与上述有机保护膜及上述第3无机保护膜相接。
|
