| 发明名称 |
选择性移除氮化矽之组合物及方法 |
| 摘要 |
明系关于用于将氮化矽材料相对于多晶矽、氧化矽材料及/或矽化物材料自一其上具有该等材料之微电子装置选择性移除的组合物。该等移除组合物包括氟矽酸及矽酸，氟矽酸与矽酸之莫耳比系在自3：1至6：1之范围。典型过程温度系小于约100℃且氮化物对比氧化物蚀刻之典型选择性为约200：1至约2000：1。在典型过程条件下，基于镍之矽化物以及钛及钽之氮化物大致不受影响，且多晶矽蚀刻速率小于约1 min-1。
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| 申请公布号 |
TW201612978 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW104126646 |
申请日期 |
2007.12.21 |
| 申请人 |
恩特葛瑞斯股份有限公司 |
发明人 |
库柏 艾曼纽Ｉ;史派克斯 伊莲;包尔斯 威廉Ｒ;比斯卡德 马克Ａ;洋德斯 凯文Ｐ;柯珊斯基 麦可Ｂ;索恩塔莉亚 普瑞纳;汤玛士 妮可Ｅ |
| 分类号 |
H01L21/311(2006.01);C09K13/08(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种包含氟矽酸及矽酸之氮化矽移除组合物，其中氟矽酸与矽酸之莫耳比系在自3：1至6：1之范围，且其中该移除组合物适合于自一上面有氮化矽材料之微电子装置晶圆选择性移除该氮化矽材料。
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| 地址 |
美国 |
