发明名称 |
在半导体装置内形成图案的方法 |
摘要 |
露提供一种在半导体装置内形成图案的方法。根据某些实施例,该方法包括提供一基底、基底上的一图案化目标层以及图案化目标层上的一硬式罩幕层。在硬式罩幕层内形成一第一图案。自硬式罩幕层内的第一图案去除一修整部分,以形成一经修整的第一图案。在硬式罩幕层上形成一第一阻剂层。在第一阻剂层内形成一主要图案。使用主要图案及经修整的第一图案作为一蚀刻遮罩元件来蚀刻图案化目标层,以在图案化目标层内形成一最终图案。在某些实施例中,最终图案包括主要图案减去主要图案与经修整的第一图案之间的一第一重叠部分。
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申请公布号 |
TWI528417 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
申请号 |
TW103146481 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
张世明;谢铭峰;赖志明;刘如淦;高蔡胜 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);G03F1/80(2012.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
主权项 |
一种在半导体装置内形成图案的方法,包括:提供一基底、该基底上的一图案化目标层以及该图案化目标层上的一硬式罩幕层;在该硬式罩幕层内形成一第一图案;自该硬式罩幕层内的该第一图案去除一修整部分,以形成一经修整的第一图案;在该硬式罩幕层上形成一第三阻剂层;在该第三阻剂层内形成一主要图案;以及使用该主要图案及该经修整的第一图案作为一蚀刻遮罩元件来蚀刻该图案化目标层,以在该图案化目标层内形成一最终图案,其中该最终图案包括该主要图案减去该主要图案与该经修整的第一图案之间的一第一重叠部分。
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |