| 发明名称 |
半导体装置及半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
给予其中氧化物半导体膜用于通道的电晶体稳定电气特性来制造高度稳定的半导体装置。形成可藉由热处理具有第一晶体结构的氧化物半导体膜及可藉由热处理具有第二晶体结构的氧化物半导体膜加以堆叠，并接着履行热处理；据此，藉由使用具有第二晶体结构的氧化物半导体膜作为晶种而发生晶体生长，以形成具有第一晶体结构的氧化物半导体膜。以此方式形成的氧化物半导体膜用于电晶体的主动层。
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| 申请公布号 |
TW201613107 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW104144474 |
申请日期 |
2011.11.15 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;高桥正弘;丸山哲纪 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：第一绝缘膜；重叠该第一绝缘膜的第二绝缘膜；夹置在该第一绝缘膜和该第二绝缘膜之间的半导体膜之堆叠，该半导体膜之堆叠包含：第一氧化物半导体膜；及在该第一氧化物半导体膜上并与其接触的第二氧化物半导体膜；及闸极电极，其中该闸极电极和该半导体膜之堆叠重叠，及其中该第一氧化物半导体膜的氮浓度高于该第二氧化物半导体膜的氮浓度。
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| 地址 |
日本 |
