带有多个外延层的横向PNP双极电晶体

摘要

明涉及一种带有多个外延层的横向PNP双极电晶体，具体是指利用相同导电类型的多外延层，制备带有深发射极和深集电极区的横向双极电晶体。无需使用沟槽，就能制备深发射极和深集电极区。在每个外延层中，制备垂直对准的扩散区，使扩散区在退火后，合并到连续的扩散区中，作为发射极或集电极或隔离结构。在另一个实施例中，利用沟槽发射极和沟槽集电极区，制备横向沟槽PNP双极电晶体。在另一个实施例中，制备合并了LDMOS电晶体的横向PNP双极电晶体，以获得高性能。

主权项

一种横向双极电晶体，其特征在于，包括： 一个第一导电类型的半导体衬底； 一个第一导电类型的第一掩埋层以及一个第二导电类型的第二掩埋层，都形成在该半导体衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反； 一个第二导电类型的第一外延层，形成在该半导体衬底上； 第一导电类型的一第三、一第四和一第五掩埋层，形成在该第一外延层中，该第三掩埋层与该第一掩埋层垂直对准，该第四和该第五掩埋层形成在该第二掩埋层上方； 一个第二导电类型的第二外延层，形成在该第一外延层上；以及 第一导电类型的一第一、一第二和一第三沉降区，形成在该第二外延层中，该第一沉降区与该第三掩埋层垂直对准，该第二沉降区与该第四掩埋层垂直对准，该第三沉降区与该第五掩埋层垂直对准， 其中该第一掩埋层、该第三掩埋层以及该第一沉降区构成一个第一导电类型的连续扩散区，并且作为一隔离结构，该第四掩埋层和该第二沉降区构成第一导电类型的一连续扩散区，并且作为一发射极区，该第五掩埋层和该第三沉降区构成第一导电类型的一连续扩散区，并且作为一集电区；一基极区形成在该发射极区和该集电极区之间的该第一和该第二外延层中。