| 发明名称 |
具有ＳＯＩ晶圆中之多个主动层之半导体结构 |
| 摘要 |
绝缘体上半导体晶圆具有在一基板层与一半导体层之间的一绝缘体层。一第一主动层形成于该半导体层中及该半导体层上。一第二主动层形成于该基板中及该基板层上。在一些实施例中，将一处理晶圆接合至该绝缘体上半导体晶圆，并且在形成该第二主动层之前使该基板层变薄。在一些实施例中，一第三主动层可形成于该处理晶圆之基板中。在一些实施例中，该第一主动层及该第二主动层包括在此等层中之一者中的一MEMS装置，以及在另一层中的一CMOS装置。
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| 申请公布号 |
TW201613035 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW104124120 |
申请日期 |
2015.07.24 |
| 申请人 |
瑟蓝纳半导体美国股份有限公司 |
发明人 |
法那利 史蒂芬Ａ |
| 分类号 |
H01L21/84(2006.01);H01L21/98(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
李世章 |
| 主权项 |
一种方法，其包含：提供一绝缘体上半导体晶圆，该绝缘体上半导体晶圆具有在一基板层与一半导体层之间的一绝缘体层；在该半导体层中及该半导体层上形成一第一主动层；以及在该基板层中及该基板层上形成一第二主动层。
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| 地址 |
美国 |
