| 发明名称 | 一种接触孔界面处理方法 | ||
| 摘要 | 明提供一种接触孔界面处理方法，所述接触孔形成于一基板上，所述基板包括一源极、一汲极和一闸极，通过所述接触孔使所述源极、所述汲极和所述闸极的界面外露，所述方法包括：去除所述源极界面、所述汲极界面和所述闸极界面的有机残余物；进行一氢气处理，以去除源极界面、汲极界面和闸极界面的原生氧化物；以及进行一氮气处理，藉此在源极界面、汲极界面和闸极界面上形成一保护层。使用本发明的接触孔界面处理方法对接触孔界面进行处理，可有效提高界面的均匀性，降低数据綫与多晶矽之间的接触阻抗幷防止数据綫与金属闸极接触处腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | TW201612969 | 申请公布日期 | 2016.04.01 |
| 申请号 | TW103137192 | 申请日期 | 2014.10.28 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 郭晓辉;黄家琦;柯其勇;彭军 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 叶大慧 | |
| 主权项 | 一种接触孔界面处理方法，所述接触孔形成于一基板上，所述基板包括一源极、一汲极和一闸极，通过所述接触孔使所述源极、所述汲极和所述闸极的界面外露，所述方法包括： 去除所述源极界面、所述汲极界面和所述闸极界面的有机残余物； 进行一氢气处理，以去除所述源极界面、所述汲极界面和所述闸极界面上的原生氧化物；以及 进行一氮气处理，藉此在所述源极界面、所述汲极界面和所述闸极界面上形成一保护层。 | ||
| 地址 | 中国 | ||