| 发明名称 |
牺牲膜用组成物、及其制造方法、以及具备使用该组成物所形成之空隙的半导体装置、及使用该组成物之半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
明之课题系提供一种耐热性与保存安定性优异之牺牲膜用组成物与使用其之半导体装置之制造方法。
本发明之解决手段系一种利用下述组成物作为牺牲材料而制造具备牺牲膜用组成物、与多孔质材料之半导体装置的方法，该牺牲膜用组成物系包含聚合物、与溶剂而成，且特定之过渡金属离子含有率非常低，而该聚合物系包含含具有孤立电子对之氮原子的重覆单位而成。
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| 申请公布号 |
TW201612240 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW104124646 |
申请日期 |
2015.07.30 |
| 申请人 |
ＡＺ电子材料卢森堡有限公司 |
发明人 |
中杉茂正;绢田贵史;能谷刚;柳田浩志;浜佑介 |
| 分类号 |
C08L77/10(2006.01);C08L79/02(2006.01);H01L21/764(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
C08L77/10(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
王彦评;赖碧宏 |
| 主权项 |
一种牺牲膜用组成物，其系包含下述而成之组成物：含有含具孤立电子对之氮原子的重复单位而成之聚合物、与溶剂，其特征为组成物中所含之过渡金属的合计含有率为3.0ppb以下。
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| 地址 |
卢森堡 |
