卤素移除方法及设备

摘要

圆送进入口装载闭锁室。于入口装载闭锁室中建立真空状态。将晶圆传送到制程工具中。于处理室中处理此晶圆以提供处理后晶圆，其中此处理会形成卤素残余物。于处理晶圆之后，在处理室中进行除气步骤。将处理后晶圆传送到除气室中。在除气室中以UV光和包含有臭氧、氧气或水蒸气之至少其中一种的气流来处理此处理后晶圆。停止此气流。停止此UV光。将处理后晶圆从除气室中移出。

主权项

一种用以从晶圆上移除卤素物种之除气站，其中该卤素物种于该晶圆处理期间而堆积，该除气站包含：一除气室，能够建立与维持真空状态并且能够容纳该晶圆；一晶圆支座，用以在该除气室中支托该晶圆；一UV光源，当该晶圆位于该除气室中时，该UV光源利用UV光来处理该晶圆；一注射器，与该除气室相连接，用以将一气体注入该除气室中，使得该气体流经容纳于该除气室中之该晶圆，其中该气体包含氧气、水蒸气或臭氧之至少其中一种；一排气系统，与该除气室相连接，其中该排气系统能够使该除气室排气以建立真空状态，且其中该排气系统能够在该气体被注入该除气室的同时移除该气体，以大致维持该除气室内之真空状态；一隔离站，其中该隔离站容纳有已经在除气室中被除气之复数个晶圆；一第一晶圆通口，位于该除气室，用以从一装载闭锁真空室接收该晶圆；以及复数个真空密封件，围绕该第一晶圆通口，使得该除气室与该真空室在该第一晶圆通口处相连接。