发明名称 |
用于电浆切割半导体晶圆的方法与设备 |
摘要 |
明提供一种电浆切割基板的方法。该方法包含:提供一具有墙的制程腔体;提供一邻近该制程腔体之墙的电浆源;提供一在制程腔体中的工作件支座;将基板放在框架上的支座膜上以形成工作件;将该工作件载入至工作件支座;提供一盖环放置在工作件上;从电浆源产生电浆;以及透过产生的电浆蚀刻该工作件。
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申请公布号 |
TWI528435 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
申请号 |
TW104113510 |
申请日期 |
2012.03.14 |
申请人 |
帕斯马舍门有限责任公司 |
发明人 |
强生 克里斯;强生 大卫;威斯特曼 罗素;马丁内斯 林内尔;培 伏乐得 大卫;葛瑞弗纳 高登 |
分类号 |
H01L21/302(2006.01);H01L21/3065(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/302(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林景郁 |
主权项 |
一种用于电浆切割基板的方法,该方法包括:提供具有一墙的一制程腔体;提供邻近该制程腔体之该墙的一电浆源,该电浆源在该制程腔体中产生一电浆;提供在该制程腔体内的一工作件支座;提供该基板以具有一顶表面和一底表面,该顶表面具有复数个元件结构和街道区域;将该基板的该底表面放置在一框架上的一支座膜上以形成一工作件;提供在该电浆源和该工作件之间的一屏幕,该屏幕减少在该基板上的离子轰击,该屏幕减小该基板的加热;透过该电浆源产生一电浆;以及将该屏幕定位于该电浆源下方并且将该屏幕定位在该工作件上方,透过从该电浆源产生的该电浆来对在该制程腔体内的该工作件的该基板的该顶表面上方的未受保护的街道区域进行蚀刻。
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地址 |
美国 |