| 发明名称 |
半导体基板之超临界乾燥方法及超临界乾燥装置 |
| 摘要 |
本实施形态，半导体基板之超临界乾燥方法包括如下步骤：将半导体基板于表面经醇润湿之状态下导入腔室内；向上述腔室内供给二氧化碳之超临界流体；将上述半导体基板上之上述化学液置换为上述超临界流体；及自上述腔室排出上述超临界流体及上述醇，而降低上述腔室内之压力。进而，于降低上述腔室内之压力后，向上述腔室内供给氧气或臭氧气体，进行烘烤处理。
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| 申请公布号 |
TWI528434 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW101108924 |
申请日期 |
2012.03.15 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司;东京威力科创股份有限公司 |
发明人 |
季丽楠;林秀和;富田宽;大口寿史;佐藤洋平;户岛孝之;岩下光秋;光冈一行;杨元;大野广基;折居武彦 |
| 分类号 |
H01L21/302(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种半导体基板之超临界乾燥方法，其系将半导体基板于表面经醇润湿之状态下导入腔室内；于上述腔室内使上述半导体基板浸渍于二氧化碳之超临界流体中，将上述半导体基板上之上述醇置换为上述超临界流体；自上述腔室排出上述超临界流体及上述醇，而降低上述腔室内之压力；及自上述腔室排出上述超临界流体及上述醇，于降低上述腔室内之压力后，向上述腔室内供给氧气或臭氧气体，进行烘烤处理。
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| 地址 |
日本;日本 |
