发明名称 记忆体电路及其刷新方法
摘要 明揭露一种记忆体电路及其刷新方法。该记忆体电路包括一记忆体阵列以及一记忆体控制器。该记忆体阵列具有复数记忆体区块,其中每一该记忆体区块对应设置复数字元线。该记忆体控制器输出一存取指令以定址该等字元线而存取该记忆体阵列。该记忆体控制器每当输出一刷新指令,则在一刷新周期中循序地对每一该等记忆体区块进行刷新操作。其中于该刷新周期,该记忆体控制器于至少一第一时间点,中断该刷新操作而对该等记忆体区块中之一第一记忆体区块进行一强制刷新操作,之后再回复该刷新操作;或是其中该记忆体控制器每隔一特定时间,从该等记忆体区块中找出于该特定时间内被存取次数最多之一第二记忆体区块,以进行该强制刷新操作。
申请公布号 TWI528377 申请公布日期 2016.04.01
申请号 TW103124883 申请日期 2014.07.21
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 张昆辉
分类号 G11C7/12(2006.01);G11C8/08(2006.01);G11C11/401(2006.01) 主分类号 G11C7/12(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项 一种记忆体电路,包括:一记忆体阵列,具有复数记忆体区块,其中每一该记忆体区块对应设置复数字元线;以及一记忆体控制器,输出一存取指令以定址该等字元线而存取该记忆体阵列;该记忆体控制器每当输出一刷新指令,则在一刷新周期中循序地对每一该等记忆体区块进行刷新操作;其中于该刷新周期,该记忆体控制器于至少一第一时间点,中断该刷新操作而对该等记忆体区块中之一第一记忆体区块进行一强制刷新操作,之后再回复该刷新操作;或是其中该记忆体控制器每隔一特定时间,从该等记忆体区块中找出于该特定时间内被存取次数最多之一第二记忆体区块,以进行该强制刷新操作。
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