半导体装置及其驱动方法

摘要

导体装置包括记忆体格，该记忆体格包括：第一电晶体，其具有第一通道形成区、第一闸极电极、及第一源极与汲极区；第二电晶体，其具有第二通道形成区设置以至少部份重叠该第一源极区或第一汲极区任一的部份、第二源极区、第二汲极区，电连接至该第一闸极电极、及第二闸极电极；及绝缘层设在该第一电晶体与第二电晶体之间。在第二电晶体需要关状态的期间中，至少当一正电位系被供给至该第一源极区或第一汲极区，一负电位系供给至该第二闸极电极。

主权项

一种半导体装置的驱动方法，该半导体装置包含一记忆体格，其包含：第一电晶体，包含第一闸极电极；及第二电晶体，包含：第二通道形成区，与该第一电晶体的源极与汲极之一的至少一部份重叠，并在其间内置有一绝缘层；及第二闸极电极，其在该第二通道形成区之上，其中该第二电晶体的源极与汲极之一系电连接至该第一闸极电极，使得一节点被形成，该驱动方法包含步骤：导通该第二电晶体，使得电荷被供给至该节点，关断该第二电晶体，使得电荷被保持在该节点，及供给第二电位至该第二闸极电极至少当第一电位系供给至该第一电晶体的该源极与汲极之一，在需要电荷被保持在该节点的期间，其中该第二电位具有与该第一电位相反的极性。