| 发明名称 |
半导体装置之制造方法及半导体制造装置 |
| 摘要 |
明之实施形态藉由减少积层晶片间之位置偏移量而改善积层晶片之良率，从而削减成本。实施形态之半导体装置之制造方法包括：获取第1半导体晶片之位置之步骤；及将第2半导体晶片安装于上述第1半导体晶片上之步骤。该半导体装置之制造方法更包括：获取上述第2半导体晶片之位置之步骤；计算上述第1半导体晶片之位置、与上述第2半导体晶片之位置之偏移量即第1偏移量之步骤；及进行上述第1偏移量是否为第1范围内之第1判定之步骤。
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| 申请公布号 |
TW201612995 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW104107090 |
申请日期 |
2015.03.05 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
深山真哉;尾山幸史;村上和博 |
| 分类号 |
H01L21/60(2006.01);H01L21/67(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其包括：获取第1半导体晶片之位置之步骤；将第2半导体晶片安装于上述第1半导体晶片上之步骤；获取上述第2半导体晶片之安装后之位置之步骤；计算第1偏移量之步骤，上述第1偏移量系上述第1半导体晶片之位置与上述第2半导体晶片之安装后之位置之偏移量；及进行上述第1偏移量是否为第1范围内之第1判定之步骤。
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| 地址 |
日本 |
