发明名称 图案收缩方法
摘要 收缩方法系包含:(a)提供半导体基板,其系包含一层或多层待图案化之层;(b)提供阻剂图案于该一层或多层待图案化之层上;(c)涂覆收缩组成物于该图案上,其中,该收缩组成物系包含聚合物及有机溶剂,其中,该聚合物系包含具有氢受体之基团,该基团系有效与酸基团及/或醇基团于该阻剂图案之表面形成键,以及,其中,该组成物系不含交联剂;以及(d)自该基板冲洗掉残留之收缩组成物,留下键结至该阻剂图案之聚合物部分。亦提供图案收缩组成物,以及藉由该等方法形成之经涂覆之基板及电子装置。本发明于半导体装置之制造中尤其具有应用性,用于提供高解析度图案。
申请公布号 TW201612979 申请公布日期 2016.04.01
申请号 TW104124707 申请日期 2015.07.30
申请人 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏全球科技责任有限公司 发明人 赫斯塔德 菲利普D;朴钟根;成鎭旭;朴 詹姆士 熙俊
分类号 H01L21/312(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/40(2006.01);C08L53/00(2006.01) 主分类号 H01L21/312(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项 一种图案收缩方法,系包含:(a)提供半导体基板,其系包含一层或多层待图案化之层;(b)提供阻剂图案于该一层或多层待图案化之层上;(c)涂覆收缩组成物于该图案上,其中,该收缩组成物系包含:包含第一嵌段及第二嵌段之嵌段共聚物,其中,该第一嵌段系包含具有氢受体之基团,该基团系有效与酸基团及/或醇基团于该阻剂图案之表面形成键,且该第二嵌段系包含自(烷基)丙烯酸酯单体形成之单元、自乙烯基芳族单体形成之单元、含有矽之单元、或其组合;以及,有机溶剂;其中,该组成物系不含交联剂;(d)自该基板冲洗残留之收缩组成物,留下键结至该阻剂图案之聚合物的部分。
地址 美国;美国