| 发明名称 | 蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 处理基板(W)(该被处理基板，系在表面具有氮化矽膜，并具有邻接于氮化矽膜的矽及/或氧化矽膜)配置于腔室(40)内，且将含氟气体、醇气体、O2气体、惰性气体在激发的状态下，供给至腔室(40)内，并藉此相对于矽及/或氧化矽膜来选择性地蚀刻氮化矽膜。 | ||
| 申请公布号 | TW201612973 | 申请公布日期 | 2016.04.01 |
| 申请号 | TW104116481 | 申请日期 | 2015.05.22 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 高桥信博;高桥哲朗;清水昭贵;长仓幸一;藤刚;宇田秀一郎 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，其特征系，具有：将被处理基板(该被处理基板，系在表面具有氮化矽膜，并具有邻接于前述氮化矽膜的矽及/或氧化矽膜)配置于腔室内；及将含氟气体、醇气体、O2气体、惰性气体在激发的状态下，供给至前述腔室内，并藉此相对于前述矽及/或前述氧化矽膜来选择性地蚀刻前述氮化矽膜。 | ||
| 地址 | 日本 | ||