形成用于半导体装置之接触结构的方法及所产生的装置

摘要

请揭示形成用于半导体装置的接触结构的方法及所产生的装置。该方法包括，除其他外，一种形成接触结构在电晶体装置的源极/汲极区域的方法。该电晶体装置包含闸极结构及位在该闸极结构上方的闸极覆盖层。该方法包含形成传导耦接至该源极/汲极区域的延伸高度磊晶接触结构。该延伸高度磊晶接触结构包含位在该闸极覆盖层的上表面的高度水平上方的高度水平处的上表面。该方法更包含执行蚀刻制程以缩减至少部分该延伸高度磊晶接触结构的侧向宽度，并且，在执行该蚀刻制程之后，形成金属矽化物材料在至少部分经缩减的延伸高度的磊晶接触结构上及形成传导接触件在该金属矽化物材料上。

主权项

一种形成接触结构在电晶体装置的源极/汲极区域的方法，该电晶体装置包括闸极结构及位在该闸极结构上方的闸极覆盖层，该方法包括：形成传导耦接至该源极/汲极区域的延伸高度磊晶接触结构，该延伸高度磊晶接触结构包括位在该闸极覆盖层的上表面的高度水平上方的高度水平处的上表面；执行至少一道蚀刻制程以缩减至少部分该延伸高度磊晶接触结构的侧向宽度；在执行该至少一道蚀刻制程之后，形成金属矽化物材料在至少部分经缩减的该延伸高度磊晶接触结构上；以及形成传导接触件在该金属矽化物材料上。