发明名称 |
鳍式场效电晶体的制造方法 |
摘要 |
明提供一种鳍式场效电晶体的制造方法,包括藉由多次的侧壁图像转移制程,以及将两相邻第一蕊轴之间的第一间距调整为小于后续用来形成在第一蕊轴侧壁之第一间隙壁之氮化物层的两倍厚度,以形成复合间隙壁,以便于藉此形成具有非整数倍与整数倍周期距之复数个鳍状结构之鳍式场效电晶体。
|
申请公布号 |
TW201612960 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
申请号 |
TW103132321 |
申请日期 |
2014.09.18 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
林昭宏;蔡世鸿;傅思逸;郑志祥 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
郭晓文 |
主权项 |
一种鳍式场效电晶体的制造方法,包括:于一基板上依序形成一第一多层结构与一第二多层结构;于该第二多层结构上形成一第一牺牲图案,其中该第一牺牲图案具有复数个第一蕊轴与一第二蕊轴,且相邻该第一蕊轴之间间隔有一第一间距,该第一蕊轴与该第二蕊轴之间间隔有一第二间距;于该第一牺牲图案之一侧壁上形成具有一第一宽度之一第一间隙壁,且于相邻该第一蕊轴之间形成具有一第二宽度之一复合间隙壁,其中该第一间距等于该第二宽度且小于两倍的该第一宽度,该第二间距大于两倍的该第一宽度;移除该第一牺牲图案;以该第一间隙壁与该复合间隙壁为硬罩幕,蚀刻部分该第二多层结构,用以形成一第二牺牲图案;于该第二牺牲图案之一侧壁上形成一第二间隙壁;移除该第二牺牲图案;以该第二间隙壁为硬罩幕,蚀刻部分该第一多层结构以图案化该第一多层结构;以及以图案化后之该第一多层结构为硬罩幕来蚀刻部分该基板,用以形成具有一第一周期距之复数个第一鳍状结构与具有一第二周期距之复数个第二鳍状结构,其中该第一周期距为该第二周期距的非整数倍。
|
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |