穿透本体通孔衬里沉积

摘要

穿透本体通孔衬里结构及于积体电路中形成此衬里结构的制程之技术被揭露。于一实施例中，积体电路包括具有一或多个穿透矽通孔(TSVs)的矽半导体基板，虽然其他穿透本体通孔能被使用，如将以此揭露内容之观点被了解者。每一TSV延伸经过该基板的至少一部份，譬如，由该基板之一侧面(例如顶部)至该基板的相反侧面(例如底部)、或由该基板之一内部层至另一内部层。衬里被设置于该基板与每一TSV之间。该衬里系由夹在一起的相异绝缘薄膜(例如拉伸薄膜及压缩薄膜)之多数交替层所形成。

主权项

一种积体电路，包含：半导体结构；穿透本体通孔，其延伸经过该半导体结构之至少一部份；及衬里，其设置于该半导体结构与该穿透本体通孔之间，该衬里包括与复数个第二绝缘层交替的复数个第一绝缘层，该等第二绝缘层与该等第一绝缘层不同。