| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
明之目的在于提供具有稳定电气特征和高可靠度之包含氧化物半导体膜的半导体装置。在绝缘表面之上形成具有1nm至10nm厚度的第一材料膜(具有六角晶体结构的膜)，以及使用第一材料膜作为核心而形成具有六角晶体结构的第二材料膜(结晶氧化物半导体膜)，而形成第一及第二材料膜的堆叠。使用具有纤锌矿晶体结构的材料膜(例如，氮化镓或氮化铝)或是具有刚玉晶体结构的材料膜(α-Al2O3、α-Ga2O3、In2O3、Ti2O3、V2O3、Cr2O3、或α-Fe2O3)，作为第一材料膜。
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| 申请公布号 |
TW201612988 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW104144232 |
申请日期 |
2011.09.09 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;野中裕介;井上卓之;津吹将志;秋元健吾;宫永昭治 |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：第一材料膜，包括α-Ga2O3，且在基板之上；氧化物半导体膜，包括铟，且在该第一材料膜之上；闸极绝缘层，相邻于该氧化物半导体膜；以及闸极电极层，相邻于该氧化物半导体膜，且以该闸极绝缘层介于其间，其中该氧化物半导体膜比该第一材料膜更厚。
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| 地址 |
日本 |
