| 发明名称 | 蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 一种可藉由不在腔室内生成电浆的手法，相对于氮化矽膜而以高选择比来蚀刻氧化矽膜之蚀刻方法。 在腔室内配置被处理基板(该被处理基板，系在表面具有氧化矽膜，且邻接于氧化矽膜而具有氮化矽膜)，对腔室内供给HF气体或HF气体及F2气体，与醇气体或水蒸气，与惰性气体，藉由此，相对于氮化矽膜而选择性地蚀刻氧化矽膜。 | ||
| 申请公布号 | TW201612976 | 申请公布日期 | 2016.04.01 |
| 申请号 | TW104119586 | 申请日期 | 2015.06.17 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 户田聡;高桥信博;髙桥宏幸 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/02(2006.01);G05B19/18(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，其特征系，在腔室内配置被处理基板(该被处理基板，系在表面具有氧化矽膜，且邻接于前述氧化矽膜而具有氮化矽膜)，对前述腔室内供给HF气体或HF气体及F2气体，与醇气体或水蒸气，与惰性气体，藉由此，相对于前述氮化矽膜而选择性地蚀刻前述氧化矽膜。 | ||
| 地址 | 日本 | ||