半导体装置

摘要

一种半导体装置，该半导体装置包括非挥发性记忆体单元。该非挥发性记忆体单元包括：使用氧化物半导体的截止状态下的源极与汲极之间的漏电流(截止电流)少的写入电晶体；使用与该写入电晶体不同的半导体材料的读取电晶体；以及电容器。对该记忆体单元的资讯的写入藉由将电位供应到写入电晶体的源极电极及汲极电极的其中之一者、电容器的电极中的其中一者、读取电晶体的闸极电极彼此电连接的节点，使节点中保持预定量的电荷来进行。在进行1×109次的写入前后，该记忆体单元的储存视窗宽度的变化量为2%或更小。

主权项

一种半导体装置，包括：包括第一半导体的第一电晶体；包括氧化物半导体的第二电晶体；电容器；以及节点，于该节点处该第二电晶体的源极电极及汲极电极的其中一者系连接到该第一电晶体的闸极电极和该电容器的一个电极，其中，当藉由将第二电位施加到该第二电晶体的闸极电极来使该第二电晶体成为导通状态时，将第一电位施加到该第二电晶体的该源极电极及该汲极电极中的另一者来写入资料，其中，当该第二电晶体成为截止状态时，该节点保持资料，其中，藉由判定当将第三电位施加到该电容器的另一个电极时该第一电晶体处于导通状态或截止状态来读取在该节点处所保持的资料，并且其中，在进行1×109次的写入前后，处于导通状态的该第一电晶体的第一临界值电压与处于截止状态的该第一电晶体的第二临界值电压之差保持在2%或更小。