发明名称 |
包裹式记忆体和用于制造具有一外部输入输出汇流排的包裹式记忆体的制造方法 |
摘要 |
式记忆体包含一基板、一第一记忆体晶粒、一第二记忆体晶粒、一切割线和一电性连接部份。该第一记忆体晶粒有一第一输入输出汇流排,其中该第一记忆体晶粒形成于该基板之上;该第二记忆体晶粒有一第二输入输出汇流排,其中该第二记忆体晶粒形成于该基板之上;该切割线形成于该第一记忆体晶粒和第二记忆体晶粒之间;该电性连接部份形成于该切割线之上,用以电性连接该第一及第二输入输出汇流排,其中该电性连接部份电性连接至一外部输入输出汇流排,且该外部输入输出汇流排的宽度是大于或等于该第一及第二输入输出汇流排的宽度。
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申请公布号 |
TWI528500 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
申请号 |
TW102103796 |
申请日期 |
2013.01.31 |
申请人 |
钰创科技股份有限公司 |
发明人 |
戎博斗;夏濬 |
分类号 |
H01L21/8239(2006.01);H01L23/52(2006.01);G06F13/16(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8239(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
吴丰任;戴俊彦 |
主权项 |
一种包裹式记忆体,包含:一基板;一第一记忆体晶粒,具有一第一输入输出汇流排,其中该第一记忆体晶粒是形成于该基板之上;一第二记忆体晶粒,具有一第二输入输出汇流排,其中该第二记忆体晶粒是形成于该基板之上;一切割线,形成于该第一记忆体晶粒和第二记忆体晶粒之间;及一电性连接部份,形成于该切割线之上,用以电性连接该第一输入输出汇流排和该第二输入输出汇流排,其中该电性连接部份电性连接至一外部输入输出汇流排,且该外部输入输出汇流排的宽度是大于或等于该第一输入输出汇流排的宽度及该第二输入输出汇流排的宽度;其中该电性连接部份包含复数个光罩层用以当成一重新分配层连接以稳固该电性连接部份。
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地址 |
新竹市科学工业园区科技五路6号 |