半导体元件及其制备方法

摘要

明系揭露一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括多个沟槽，多个沟槽含有在主动区中的主动闸极沟槽，以及在主动区外部的终端区中的闸极通道/或终端沟槽和屏蔽电极吸引沟槽。闸极通道/或终端沟槽包括限定位于主动区外部的台面结构的至少一沟槽。第一导电区形成于多个沟槽中。中间电介质区和终端保护区形成于限定台面结构的沟槽中。第二导电区形成于限定台面结构的那部分沟槽中。第二导电区通过中间电介质区，与第一导电区电绝缘。到第二导电区形成第一电性接点，到屏蔽电极吸引沟槽中第一导电区形成第二电性接点。至少一萧特基二极体形成于台面结构中。

主权项

一种半导体元件之制备方法，其包含：利用一第一遮罩，在一基板上制备复数个第一沟槽，该些第一沟槽包含位于一主动区中的一主动闸极沟槽，位于含有该主动闸极沟槽的该主动区之外的一终端区中的至少一闸极通道或一终端沟槽以及一屏蔽电极吸引沟槽，该至少一闸极通道或该终端沟槽包含至少一第二沟槽，该至少一第二沟槽限定了位于含有该主动闸极沟槽的该主动区之外的区域中的一台面结构；在限定该台面结构的该至少一第二沟槽中，制备一第一导电区；利用一第二遮罩，在限定该台面结构的该至少一第二沟槽中，制备一中间电介质区以及一终端保护区；在限定该台面结构的该至少一第二沟槽中，制备一第二导电区；形成到该第二导电区的一第一电性接点，在位于该终端区中的该屏蔽电极吸引沟槽中，形成到该第一导电区的一第二电性接点，并且利用一第三遮罩，在含有该主动闸极沟槽的该主动区外部的区域中，在该终端沟槽之间形成的该台面结构内，制备至少一萧特基二极体；以及在至少一终端沟槽中，制备一非对称的侧壁；其中，制备该非对称的侧壁包含切口刻蚀至少部分被该第二遮罩覆盖的那部分氧化层。