| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 明是在于提供一种半导体装置的制造方法，其系具有：在半导体基板上形成介电质膜之工程；热处理前述介电质膜之工程；在前述介电质膜上的一部分形成电极之工程；对未被形成前述电极的前述介电质膜照射离子化后的气体团簇之工程；及前述照射工程之后，藉由湿蚀刻来除去被照射前述离子化后的气体团簇的区域的前述介电质膜之工程。 | ||
| 申请公布号 | TWI528455 | 申请公布日期 | 2016.04.01 |
| 申请号 | TW101136489 | 申请日期 | 2012.10.03 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 赤坂泰志;秋山浩二;东岛裕和 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/318(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，系具有：在半导体基板上形成介电质膜之工程；热处理前述介电质膜之工程；在前述介电质膜上的一部分形成电极之工程；对未被形成前述电极的前述介电质膜照射离子化后的气体团簇之工程；及前述照射工程之后，藉由湿蚀刻来除去被照射前述离子化后的气体团簇的区域的前述介电质膜之工程。 | ||
| 地址 | 日本 | ||