具有覆盖层之基板的沈积后清理方法及配方

摘要

明的一实施例系制造积体电路的方法。此方法包括提供具有金属与介电镶嵌金属层(dielectric damascene metallization layer)的基板，及实质在金属上沈积覆盖层。在沈积此覆盖层后，以含胺类的溶液清洗此基板，此胺类提供该清洗溶液7至约13的酸硷值(pH)。本发明的另一实施例系清洗基板的方法。本发明还有一实施例系清洗溶液的配方。

主权项

一种清洗具有铜质与介电镶嵌金属之一基板的方法，该铜质的表面具有钴、钴合金、镍、镍合金，或钴镍合金膜的一覆盖层，该方法包括：将一清洗溶液涂敷于该基板上，以移除缺陷与污染物中至少一者，其中，该清洗溶液包括：一胺类，该胺类的浓度系自约1g/L至约100g/L以提供该清洗溶液自7至13的一酸硷值与其中所包含的所有值及子范围；一非胺复离子形成剂，该非胺复离子形成剂的浓度系自约0.5g/L至约50g/L；一腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂的浓度系自约0.01g/L至约20g/L；一介面活性剂，该介面活性剂中的浓度系0.02g/L至2g/L；一去氧剂，该去氧剂的浓度系自约0.05g/L至约10g/L，该去氧剂包括：羟胺(hydroxylamine)、二乙羟胺(diethylhydroxylamine)、甲基乙基酮圬(methyl-ethylketoxime)、碳醯肼(carbohydrazide)、漂木酸(chlorogenic acid)、胼(hydrazine)、肼盐(hydrazine salt)、胼的衍生物、咖啡酸(caffeic acid)、植物酸(phytic acid)、叶黄酮(luteolin)，及/或亚硫酸盐(sulfite)；一还原剂，该还原剂的浓度系自约0.1g/L至约10g/L，该还原剂包括含硼还原剂、次亚磷酸盐(hypophosphite)、及/或硫代硫酸盐(thiosulfate)；及一水溶性溶剂，该水溶性溶剂的浓度自约10g/L至约100g/L。