发明名称 |
碳奈米管阵列之制造方法、纺织源构件、具备碳奈米管之构造体及复合构造体 |
摘要 |
明之目的在于提供一种碳奈米管阵列之制造方法,其特征在于具备:第一步骤,作为提高藉由气相触媒法制造之CNT阵列之生产性之手段以及提高其CNT阵列之纺织性之手段,使基板存在于含有气相触媒之氛围内,上述基板具备由含有矽氧化物之材料构成之面,即基面作为其表面之至少一部分;以及第二步骤,藉由使原料气体及气相助触媒存在于含有上述气相触媒之氛围中,使复数之碳奈米管生长在上述基板之基面上,在上述基面上获得由上述复数之碳奈米管构成之碳奈米管阵列。
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申请公布号 |
TWI527755 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
申请号 |
TW102137001 |
申请日期 |
2013.10.14 |
申请人 |
捷恩智股份有限公司 |
发明人 |
井上翼;中西太宇人 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;叶璟宗 |
主权项 |
一种碳奈米管阵列之制造方法,其特征在于具备:第一步骤,其使基板存在于含有气相触媒之氛围内,上述基板具备由含有矽氧化物之材料构成之面,即基面作为其表面之至少一部分;以及第二步骤,其藉由使原料气体及气相助触媒存在于含有上述气相触媒之氛围中,使复数之碳奈米管生长在上述基板之基面上,在上述基面上获得由上述复数之碳奈米管构成之碳奈米管阵列。
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地址 |
日本 |