发明名称 碳奈米管阵列之制造方法、纺织源构件、具备碳奈米管之构造体及复合构造体
摘要 明之目的在于提供一种碳奈米管阵列之制造方法,其特征在于具备:第一步骤,作为提高藉由气相触媒法制造之CNT阵列之生产性之手段以及提高其CNT阵列之纺织性之手段,使基板存在于含有气相触媒之氛围内,上述基板具备由含有矽氧化物之材料构成之面,即基面作为其表面之至少一部分;以及第二步骤,藉由使原料气体及气相助触媒存在于含有上述气相触媒之氛围中,使复数之碳奈米管生长在上述基板之基面上,在上述基面上获得由上述复数之碳奈米管构成之碳奈米管阵列。
申请公布号 TWI527755 申请公布日期 2016.04.01
申请号 TW102137001 申请日期 2013.10.14
申请人 捷恩智股份有限公司 发明人 井上翼;中西太宇人
分类号 C01B31/02(2006.01) 主分类号 C01B31/02(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;叶璟宗
主权项 一种碳奈米管阵列之制造方法,其特征在于具备:第一步骤,其使基板存在于含有气相触媒之氛围内,上述基板具备由含有矽氧化物之材料构成之面,即基面作为其表面之至少一部分;以及第二步骤,其藉由使原料气体及气相助触媒存在于含有上述气相触媒之氛围中,使复数之碳奈米管生长在上述基板之基面上,在上述基面上获得由上述复数之碳奈米管构成之碳奈米管阵列。
地址 日本