| 发明名称 |
半导体装置及半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
半导体装置的制造方法，包含下列步骤：在一基板上形成包含Si与C的一覆盖绝缘膜；在该覆盖绝缘膜上形成一有机矽氧膜，该有机矽氧膜具有比该覆盖绝缘膜更高的碳原子数对矽原子数之组成比率；以及藉由电浆处理在该有机矽氧膜中形成两个以上的凹部，该凹部具有不同开口直径，于该电浆处理中系使用包含惰性气体、含N气体、氟碳化合物气体以及氧化剂气体的混合气体。 |
| 申请公布号 |
TWI528454 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW100115148 |
申请日期 |
2011.04.29 |
| 申请人 |
瑞萨电子股份有限公司 |
发明人 |
久米一平;川原润;古武直也;斋藤忍;林喜宏 |
| 分类号 |
H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，包含下列步骤：在一基板上形成包含Si与C的一绝缘膜；在该绝缘膜上形成一有机矽氧膜，该有机矽氧膜具有比该绝缘膜更高的碳原子数对矽原子数之组成比率；以及藉由电浆处理在该有机矽氧膜中形成两个以上的凹部，该凹部具有不同开口直径，于该电浆处理中系使用包含惰性气体、含N气体、氟碳化合物气体以及氧化剂气体的混合气体；该含N气体之流率对该惰性气体之流率的比率为1以上；该有机矽氧膜包含具有由下列通式(1)所表示之环状有机矽氧烷结构的一化合物：
其中，R1与R2为相同或不同，并且表示碳氢基。
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| 地址 |
日本 |
