发明名称 沉积多晶矽之方法
摘要 明提供一种用于在反应器中沉积多晶矽的方法,该反应器在侧面及顶部以反应器壁为界,在底部以一底板为界,该底板上安装有受加热的细丝棒,利用该反应器壁上和该底板中的气体进入口将一含矽反应气体混合物引入反应器室中,以及将矽沉积在细丝棒上,其中系透过该反应器壁中的气体进入口,以相对于反应器侧壁0至45°的角度引入该含矽反应气体混合物。
申请公布号 TWI527757 申请公布日期 2016.04.01
申请号 TW103110070 申请日期 2014.03.18
申请人 瓦克化学公司 发明人 克罗斯 葛兰;克劳斯 亨士;文斯 托比亚斯
分类号 C01B33/035(2006.01) 主分类号 C01B33/035(2006.01)
代理机构 代理人 陈翠华
主权项 一种用于在一反应器中沉积多晶矽的方法,该反应器在侧面及顶部以反应器壁为界,在底部以一底板为界,该底板上安装有受加热的细丝棒,利用该反应器壁上和该底板中的气体进入口将一含矽反应气体混合物引入反应器室中,以及将矽沉积在细丝棒上,其中系透过该反应器壁中的气体进入口,以相对于反应器侧面的反应器壁0至45°的角度引入该含矽反应气体混合物,其中,单个进入口的面积Ainl和该反应器内部的横截面积Areac之间的比值Ainl/Areac系大于10-6且小于1/1600,以及在该反应器壁中的气体进入口,从该底板起且以该反应器侧面的反应器壁之高度计,系在该反应器侧面的反应器壁之高度的40%至100%的区域。
地址 德国