发明名称 基于导电高分子之导电率变化的自由基测量方法
摘要 自由基测量方法,包括:提供一感测器,其包含一基材及一导电高分子层,导电高分子层设置于基材上以及导电高分子层之材料为一导电高分子;施加具有自由基之一液体样本至感测器,以使液体样本至少覆盖导电高分子层,从而自由基氧化该导电高分子并降低导电高分子层之导电度;以及计算液体样本之自由基浓度,其系基于导电高分子层在施加液体样本前后之一导电度变化率。本发明具有的优势包括:低成本、小尺寸及容易操作,这使得它成为侦测羟基自由基作为氧化压力研究的良好选项。
申请公布号 TW201612514 申请公布日期 2016.04.01
申请号 TW103132566 申请日期 2014.09.22
申请人 国立清华大学 发明人 王玉麟;方容莹;朱珈禾
分类号 G01N27/04(2006.01) 主分类号 G01N27/04(2006.01)
代理机构 代理人 蔡朝安
主权项 一种自由基测量方法,包括: 提供一感测器,其包含: 一基材;及 一导电高分子层,设置于该基材上,该导电高分子层之材料为一导电高分子; 施加具有自由基之一液体样本至该感测器,以使该液体样本至少覆盖该导电高分子层,从而自由基氧化该导电高分子并降低导电高分子层之导电度;以及 计算该液体样本之自由基浓度,其系基于该导电高分子层在施加该液体样本前后之一导电度变化率。
地址 新竹市光复路二段101号
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