成膜装置、成膜方法及记忆媒体

摘要

空环境下，对晶圆(W)供给处理气体
而进行成膜时，抑制成膜后之基板的表面在处理容器内被水分氧化的情形。
构成为在成为真空环境的处理容器
(1)内，使载置有晶圆(W)之载置台(2)，在形成有处理空间(30)的上升位置(处理位置)与进行晶圆(W)之搬入搬出的下方位置之间升降自如，且构成为区隔处理空间(30)与载置台(2)之下部侧的下部空间(10)。而且，一边藉由第1真空排气部(5)对处理空间(30)进行排气，一边藉由处理气体对晶圆(W)进行成膜处理，然后，在藉由第2真空排气部(6)进行下部空间(10)的排气后，使载置台(2)下降至下方位置。而且，在使载置台(2)下降之前，停止第1真空排气部(5)之排气，朝向晶圆(W)之表面供给氮气，形成有从晶圆(W)之上方侧沿晶圆(W)之表面流动，而从载置台(2)之周缘朝向外侧的气流。

主权项

一种成膜装置，系在成为真空环境的处理容器内，对基板供给处理气体而进行成膜处理，该成膜装置，其特征系，具备有：载置台，设置于前述处理容器内，载置基板；升降机构，用以使前述载置台在处理位置(该处理位置，系形成处理基板的处理空间)与下方位置(该下方位置，系用以对处理容器内搬入搬出基板)之间升降；处理气体供给部，用于对前述处理空间供给处理气体；分隔构件，包围位于前述处理位置的载置台，用以分隔处理空间与载置台之下部侧的下部空间；第1真空排气部，用以对前述处理空间进行排气；第2真空排气部，用以对前述下部空间进行排气；及控制部，用以执行如下述者之步骤：一边藉由前述第1真空排气部进行排气，一边对位于处理位置之载置台上的基板进行成膜处理的步骤；接下来，藉由前述第2真空排气部进行排气的步骤；及然后使前述载置台下降至下方位置的步骤。