半导体感光结构与其制造方法

摘要

半导体感光结构，该结构包含一基底、一光感应元件以及一位于光感应元件上的半导体层。基底具有一第一半导体材质，且在基底中具有一深沟渠，深沟渠之表面则包含有一第一型半导体掺质。光感应元件设置于深沟渠中，且包含有一第二半导体材质。半导体层则包含一第二型半导体掺质。

主权项

一种半导体感光结构，包含：一基底，包含有一第一半导体材质，且该基底具有一深沟渠，该深沟渠之一底面包含有一第一型半导体掺质区，该第一型半导体掺质区包含一第一型半导体掺质，且该第一型半导体掺质区小于该深沟渠之该底面；一光感应元件，设置于该深沟渠中并直接接触该基底，且该光感应元件包含有一第二半导体材质，该光感应元件之一底面小于该第一型半导体掺质区且与该深沟渠之该底面实质上平行；以及一半导体层，设置于该光感应元件上，其中该半导体层包含一第二型半导体掺质。