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Ein Verfahren zum Herstellen einer einen Transistor aufweisenden Halbleitervorrichtung umfasst ein Bilden von Feldplattentrenches (S400) in einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats, wobei eine Driftzone zwischen benachbarten Feldplattentrenches definiert ist, ein Bilden einer Felddielektrikumschicht (S410) in den Feldplattentrenches, danach ein Bilden von Gatetrenches (S420) in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats, wobei ein Kanalbereich zwischen benachbarten Gatetrenches definiert ist, und ein Bilden eines leitenden Materials (S430) in wenigstens einigen der Feldplattentrenches und in wenigstens einigen der Gatetrenches. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden (S440) eines Sourcebereiches und ein Bilden eines Drainbereiches in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats. |
