发明名称 SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES
摘要 마이크로전자 구조물들을 형성하는 방법들이 설명된다. 이들 방법의 실시예들은 스페이서들에 인접한 소스/드레인 구조물들과 스페이서들 사이에 배치된 나노와이어 채널 구조물들 - 나노와이어 채널 구조물들은 서로의 위로 수직으로 스택되어 있음 - 을 포함하는 나노와이어 장치를 형성하는 것을 포함한다.
申请公布号 KR101607819(B1) 申请公布日期 2016.03.31
申请号 KR20157017708 申请日期 2011.11.23
申请人 인텔 코포레이션 发明人 쿤, 켈린 제이.;김, 세연;리오스, 라파엘;세아, 스티븐 엠.;길레스, 마틴 디.;카펠라니, 안날리사;라크시트, 티타시;창, 피터;라흐마디, 윌리
分类号 H01L29/66;H01L29/78 主分类号 H01L29/66
代理机构 代理人
主权项
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