| 发明名称 | 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有隔离层的复合衬底的制造方法，包括：在基底上形成具有露出该基底的开口的第一子隔离层；利用横向生长法在第一子隔离层和基底上形成半导体材料薄膜构成的种子层；选择性刻蚀种子层，留下第一子隔离层上的一部分种子层作为种子区；形成覆盖基底、第一子隔离层和种子区的第二子隔离层；在第二子隔离层中形成开口，该开口暴露出所述种子区的至少一部分；以所述种子区的至少一部分作为种子，利用横向生长法在第二子隔离层上生长出半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN103280425B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201310201293.5 | 申请日期 | 2013.05.27 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 陈弘;贾海强;江洋;王文新;马紫光;王禄;李卫 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种具有隔离层的复合衬底的制造方法，包括：1)在基底上形成具有露出该基底的多个开口的第一子隔离层；2)利用横向生长法在第一子隔离层和基底上形成半导体材料薄膜构成的种子层；3)选择性刻蚀种子层，留下第一子隔离层上的一部分种子层作为种子区，所述种子区在所述第一子隔离层的开口以外的区域上方；4)形成覆盖基底、第一子隔离层和种子区的第二子隔离层；5)在第二子隔离层中形成开口以暴露出所述种子区的至少一部分；6)以所述种子区的至少一部分作为种子，利用横向生长法在第二子隔离层上生长半导体层；其中，在步骤2)中，所述种子层由多个开口处的基底上开始外延生长，并在两个开口中间的位置处接合，形成接合区，其中所述种子区不包括所述接合区。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||