| 发明名称 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及液晶显示领域，能够有效减少TFT阵列基板制造过程中的静电击穿现象。本发明实施例的阵列基板，包括：公共电极总线和多条相互平行的公共电极线，其特征在于，所述公共电极总线包括多个间隔的栅极金属段和多个间隔的源漏极金属段，且所述源漏极金属段对应于所述栅极金属段之间的空缺位置，所述栅极金属段与所述源漏极金属段之间通过第一绝缘层隔开，对应相邻的所述栅极金属段和所述源漏极金属段之间通过过孔电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102945846B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201210371229.7 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 崔晓鹏;于海峰;陈曦;封宾;林鸿涛 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括公共电极总线和多条相互平行的公共电极线，其特征在于，所述公共电极总线包括位于一层中的多个间隔的栅极金属段和位于另一层中的多个间隔的源漏极金属段，且所述源漏极金属段对应于所述栅极金属段之间的空缺位置，所述栅极金属段与所述源漏极金属段之间通过第一绝缘层隔开，对应相邻的所述栅极金属段和所述源漏极金属段之间通过过孔电连接，多个所述源漏极金属段和多个所述栅极金属段交替电连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||