恒流二极管的制造方法和恒流二极管

摘要

本发明提供了一种恒流二极管的制造方法和一种恒流二极管，其中，恒流二极管的制造方法，包括：在形成有沟槽的衬底表面生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层；对所述多晶硅层进行回刻，并在经过回刻处理之后的衬底表面生长第一介质层；对所述第一介质层进行光刻、刻蚀，以得到接触孔；向形成有所述接触孔的衬底表面注入掺杂离子并做退火处理，以形成阱区；在形成有所述阱区的衬底表面生长金属层，以得到所述恒流二极管。本发明的技术方案使得恒流二极管与肖特基二极管可以采用相同的工艺平台进行开发，降低了半导体器件的生产成本，并且有效扩展了半导体器件的生产线。

主权项

一种恒流二极管的制造方法，其特征在于，包括：在形成有沟槽的衬底表面生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层；对所述多晶硅层进行回刻，并在经过回刻处理之后的衬底表面生长第一介质层；对所述第一介质层进行光刻、刻蚀，以得到接触孔；向形成有所述接触孔的衬底表面注入掺杂离子并做退火处理，以形成阱区；在形成有所述阱区的衬底表面生长金属层，以得到所述恒流二极管。