一种提高透明导电氧化物ITiO薄膜性能的方法

摘要

本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种提高太阳能电池用透明导电氧化物ITiO薄膜性能的方法。本发明方法，包括以下步骤：a、ITiO薄膜沉积前预处理：将沉积设备抽真空；b、ITiO薄膜沉积：将镀膜基板放入a步骤抽真空后的沉积设备中，采用溅射法沉积ITiO薄膜，溅射的同时通入辅助性气体；c、ITiO薄膜沉积后处理：将b步骤沉积得到的ITiO薄膜在150～300℃下进行退火处理，即得提高后的透明氧化物ITiO薄膜。本发明方法简单，可以有效提高薄膜的透过率和导电率，提高太阳能电池光电转换效率。

主权项

一种提高透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：包括以下步骤：a、ITiO薄膜沉积前预处理：将沉积设备抽真空，使设备真空度为1×10^‑5～500×10^‑5Pa；b、ITiO薄膜沉积：将镀膜基板放入a步骤抽真空后的沉积设备中，采用溅射法沉积ITiO薄膜，溅射的同时通入辅助性气体；其中，沉积压强为0.2～0.7Pa，沉积温度为25～300℃；溅射功率密度为0.5～5W/cm²；溅射气体为Ar和O₂，且按照体积比，Ar:O₂＝5:1～200:1；辅助性气体为H₂或H₂O，且按照体积比，H₂/Ar＝0.1％～10％；c、ITiO薄膜沉积后处理：将b步骤沉积得到的ITiO薄膜在150～300℃下进行退火处理，即得提高后的透明氧化物ITiO薄膜。