发明名称 晶片的加工方法
摘要 本发明提供晶片的加工方法,其是沿分割预定线将晶片分割成一个个器件并在各器件的背面安装芯片粘接用的粘接膜的加工方法,在晶片的正面上呈格子状形成有多条分割预定线,并且在由多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件,其中,晶片的加工方法包含:晶片支承工序,将粘接膜安装于晶片的背面,并将粘接膜侧粘贴于切割带的粘接层上,切割带是在带基材上铺设粘接层而成的,粘接层通过照射紫外线而硬化;紫外线照射工序,对切割带照射紫外线而使粘接层硬化;以及切削工序,使在外周具有切削刃的切削刀具旋转,沿着分割预定线将晶片和粘接膜一起切断,由此分割成一个个器件,在切削工序中,使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接层中。
申请公布号 CN105448827A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201510593650.6 申请日期 2015.09.17
申请人 株式会社迪思科 发明人 中村胜
分类号 H01L21/78(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 主分类号 H01L21/78(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;黄纶伟
主权项 一种晶片的加工方法,其是沿着分割预定线将晶片分割成一个个器件并在各器件的背面安装芯片粘接用的粘接膜的加工方法,在所述晶片的正面上呈格子状形成有多条所述分割预定线,并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有所述器件,其特征在于,所述晶片的加工方法包含:晶片支承工序,将粘接膜安装于晶片的背面,并将粘接膜侧粘贴于切割带的粘接层上,所述切割带是在带基材上铺设所述粘接层而成的,所述粘接层通过照射紫外线而硬化;紫外线照射工序,对该切割带照射紫外线而使该粘接层硬化;以及切削工序,使在外周具有切削刃的切削刀具旋转,沿着分割预定线将晶片和粘接膜一起切断,由此分割成一个个器件,在该切削工序中,使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接层中。
地址 日本东京都