| 发明名称 | 使用硅纳米粒子制造太阳能电池的发射极区域 | ||
| 摘要 | 本发明描述了使用硅纳米粒子制造太阳能电池发射极区域的方法和所得的太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池发射极区域的方法包括在设置于所述太阳能电池的基板表面上方的介电层上方形成掺杂硅纳米粒子区域。在所述掺杂硅纳米粒子区域上形成硅层。将所述硅层的至少一部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的至少一部分混合，以形成设置于所述介电层上的掺杂多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN105453275A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201380070919.1 | 申请日期 | 2013.06.18 |
| 申请人 | 太阳能公司 | 发明人 | 保罗·卢斯科托福;大卫·D·史密斯;迈克尔·莫尔斯;安·瓦尔德豪尔;金泰锡;史蒂文·爱德华·莫里萨 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾丽波;井杰 |
| 主权项 | 一种制造太阳能电池的发射极区域的方法，所述方法包括：在设置于所述太阳能电池的基板表面上方的介电层上方形成掺杂硅纳米粒子区域；在所述掺杂硅纳米粒子区域上形成硅层；以及将所述硅层的至少一部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的至少一部分混合，以形成设置在所述介电层上的掺杂多晶硅层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||