| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括：在玻璃基底上依次沉积第一铜镁铝合金薄膜和第一铜薄膜，形成栅极；在所述形成栅极的玻璃基底上依次沉积栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层；在所述欧姆接触层上沉积第二铜镁铝合金薄膜和第二铜薄膜，形成源极和漏极。应用本发明实施例解决了薄膜晶体管中铜薄膜与基底之间粘附性差和二者之间容易扩散的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105449001A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510999939.8 | 申请日期 | 2015.12.28 |
| 申请人 | 昆山国显光电有限公司 | 发明人 | 任瑞焕 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人 | 许志勇 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：在玻璃基底上依次沉积第一铜镁铝合金薄膜和第一铜薄膜，形成栅极；在所述形成栅极的玻璃基底上依次沉积栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层；在所述欧姆接触层上沉积第二铜镁铝合金薄膜和第二铜薄膜，形成源极和漏极。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路1号4幢 | ||