| 发明名称 | 多孔低介电薄膜、其制作方法及包括其的层间介质层 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种多孔低介电薄膜、其制作方法及包括其的层间介质层。其中，该多孔低介电薄膜包括沿远离半导体基材的方向上依次设置的至少两层多孔低介电材料层，且在沿远离半导体基材的方向上各层多孔低介电材料层中的平均孔径依次增加。本申请通过提供的多孔低介电薄膜中气孔尺寸得以减小，进而提高了多孔低介电薄膜的力学强度。同时，多孔低介电薄膜中由于其力学强度较低引起的分层现象得以减少，从而提高了多孔低介电薄膜的绝缘性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105448655A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410443187.2 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种多孔低介电薄膜，其特征在于，所述多孔低介电薄膜包括沿远离半导体基材的方向上依次设置的至少两层多孔低介电材料层，且在沿远离所述半导体基材的方向上各层所述多孔低介电材料层中的平均孔径依次增加。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||