| 发明名称 | 具有接触插塞的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，半导体器件包括衬底、外延层、第一蚀刻停止层、层间介电(ILD)层、第二蚀刻停止层、保护层、衬垫、硅化物帽和接触插塞。衬底具有第一部分和第二部分。外延层设置在第一部分中。第一蚀刻停止层设置在第二部分上。ILD层设置在第一蚀刻停止层上。第二蚀刻停止层设置在ILD层上，其中第一蚀刻停止层、ILD层和第二蚀刻停止层形成围绕第一部分的侧壁。保护层设置在侧壁上。衬垫设置在保护层上。硅化物帽设置在外延层上。接触插塞设置在硅化物帽上并且被衬垫围绕。本发明还涉及具有接触插塞的半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105448863A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510163148.1 | 申请日期 | 2015.04.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 谢文佳;洪隆杰;王智麟;郭康民 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，具有第一部分和邻近所述第一部分的第二部分；外延层，设置在所述第一部分中；第一蚀刻停止层，设置在所述第二部分上；层间介电(ILD)层，设置在所述第一蚀刻停止层上；第二蚀刻停止层，设置在所述ILD层上，其中，所述第一蚀刻停止层、所述ILD层和所述第二蚀刻停止层形成围绕所述第一部分的侧壁；保护层，设置在所述侧壁上，其中，所述保护层由氧化物或氮化物形成；衬垫，设置在所述保护层上；硅化物帽，设置在所述外延层上；以及接触插塞，设置在所述硅化物帽上并且被所述衬垫围绕。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||